等离子体处理机

Gencoa提供一系列基于等离子体预处理和蚀刻装置的用于各种应用中。

这些器件被分成不同的功率模式和磁设计:

  • 高电压(> + 1kV的)直流的低电流反磁控型离子源
  • DC磁控基于等离子体的前处理 - 用于高功率预处理塑料薄片的磁控管装置
  • AC型双阴极型预等离子体处理工为塑料薄片预处理
  • 正DC和脉冲直流基于为金属网基材反磁控基板离子蚀刻器
  • AC型PECVD源,可用于各种CVD沉积
  • HipV +正高电流脉冲型预处理的所有的材料类型
  • RF功率

DC磁控基于等离子体的前处理 - 用于高功率预处理塑料薄片的磁控管装置

平面磁控溅射基于设备被配置成提供快速移动的卷筒纸材料,以提高涂层附着力高功率等离子体活化。典型地,等离子体功率模式是DC或脉冲DC。靶材料是不锈钢或钛,以便减少溅射速率。

如果预治疗源位于退绕区域和所述压力在约10E-2毫巴,额外的绝缘被用于围绕所述源,以防止杂散放电。

气体注入应位于目标区域,和任选的气体容纳盒可用,它们也提供一种涂层物质用于该退绕区域的极限逃逸。安全壳箱易于清洁,设计,保留涂层材料,以防止杂物。

AC型双阴极型预等离子体处理工为塑料薄片预处理

更有力的型等离子体预处理的是放电的双电极AC型。所述Gencoa AC等离子体处理机结合磁激活,高电压AC型开关电源,用于引导电子和等离子体,以在衬底表面。双电极AC型等离子体与重放气从该纤网材料处理,因为它们在完全反应模式稳定更稳健。

电极是水冷不锈钢管和不同尺寸的源是可用的与磁式角度调整对较大的源的选项。

AC型PECVD源,可用于各种CVD沉积

使用等离子体CVD源的相同的开关AC型电源模式可用于像激活,也具有高的SiO 2轰击型层创建两个低轰击HMDSO聚合物。源使用磁性增强和是两个单独的电极,使得位置可以针对不同的应用进行调整。另外,该磁耦合和交流放电电压调整为不同的应用。

HipV+正的高电流脉冲型预处理的所有的材料类型

该HipV+是基于HIPIMS型电源模式施加正偏压电压差一个令人兴奋的新的发展。正电压脉冲条从朝向源的处理室的电子和排斥,在高能量和高电流密度轰击衬底的正离子。源仍处于Gencoa内部发展阶段,但在Optix公司等离子体气体SENOR内使用。该方法是受a专利申请。

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