等离子体处理器

Gencoa为各种应用提供了一系列基于等离子体的预处理和蚀刻设备。

设备分为不同的电源模式和磁性设计:

  • 高压(>+1kV)直流低电流反向磁控管型离子源
  • 基于直流磁控管的等离子体预处理-用于塑料网高功率预处理的磁控管器件
  • 交流型双阴极型等离子体预处理机用于塑料网的预处理
  • 用于金属网衬底的正直流电和脉冲直流电倒置磁控管衬底离子蚀刻器
  • 交流型PECVD源可用于各种CVD沉积
  • HipV+正大电流脉冲式预处理,适用于所有材料类型
  • 射频功率

基于直流磁控管的等离子体预处理-用于塑料网高功率预处理的磁控管器件

设计了一种平面磁控管溅射装置,以提供快速移动的网状材料的高功率等离子体激活,以提高涂层的附着力。等离子体功率模式通常是直流或脉冲直流。靶材为不锈钢或钛,以降低溅射速率。

如果预处理源位于退卷区,压力在10E左右2Mbar,在源周围使用额外的绝缘以防止杂散放电。

气体注入应位于目标区域,可选择的气体密封盒也提供了限制涂层材料逸出到退绕区域。密封盒易于清洁,设计上保留涂层材料以防止碎片。

交流型双阴极型等离子体预处理机用于塑料网的预处理

双电极交流放电是一种能量较高的等离子体预处理方法。Gencoa交流等离子体处理器结合了磁活化、高压交流型开关电源,用于引导电子和等离子体到基片表面。双电极交流型等离子体是更稳健的处理沉重的排气从web材料,因为他们是稳定的完全反应模式。

电极是水冷不锈钢管和不同尺寸的源,可选择磁角调整较大的源。

交流型PECVD源可用于各种CVD沉积

对等离子体CVD源使用相同的开关交流型功率模式,既可用于低轰击HMDSO聚合物的活化,也可用于高轰击SiO2型层的生成。该源使用磁性增强,是两个独立的电极,因此位置可以调整不同的应用。此外,磁耦合和交流放电电压是调整不同的应用。

HipV+所有材料类型的正高电流脉冲式预处理

的HipV+是一个令人兴奋的新发展基于Hipims型功率模式与施加一个正偏置电压的差异。正电压脉冲带电子从工艺室朝向源和排斥正离子轰击衬底在高能量和高电流密度。该源仍处于Gencoa内部开发阶段,但用于Optix等离子气体传感器。该方法需申请专利。

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