磁选项

有效的磁控溅射依赖于适当的磁场设计来优化工艺操作。Gencoa为所有溅射应用提供多种磁性选择。

平衡

平衡(SW)源包含传统的2极磁阵列,它在目标表面产生一个有效的磁阱,并最大限度地减少来自源的电子和等离子体的损失,避免等离子体对衬底的过度轰击。

不平衡

不平衡(PP)磁阵列改变了磁场的形状,允许一些等离子体电子向基片释放,为涂层过程提供离子辅助。

高收益

高产率(HY)可选磁阵列将目标利用率从标准2极磁铁的典型20%-25%提高到35-50%。增强目标的使用是由磁性系统内的附加磁极创建的,以变形和平坦目标表面上的磁场结构。

高均匀度

根据特定的目标尺寸、基片尺寸和目标对基片进行分离,可以设计出在基片上具有指定均匀性的磁阵列。根据磁场形状模拟了涂层的均匀性。

射频

射频溅射通常应用于绝缘或低导电靶。在射频溅射中,等离子体固有的增强电离会导致极低的目标电压,从而导致低速率。一个适当的射频阴极设计将包括一个特定的磁场设计,这将影响溅射和工艺产率的有效性,包括均匀性和涂层率。

高强度

高强度磁能在靶表面提供500-1000G的磁场强度,适用于铁磁靶溅射、低压溅射、低压溅射等应用。

循环

环磁靶设计克服了溅射铁磁靶材料的问题。该方案可以溅射Ni、Co、Fe等典型厚度为常规超高强度磁控管2-4倍的靶材,与标准靶材相比,靶材当量增加30%以上。在环路磁学中,目标本身成为磁阵列和磁设计的主动部分。

用金属处理

金属化磁提供高靶利用率溅射非磁性材料,同时延长生产过程时间。

全脸侵蚀

FFE磁场通过电机驱动的动态等离子体扫描提高了目标的侵蚀和均匀性,使整个目标表面被溅射,最大限度地提高了目标外缘的侵蚀。目标生活没有统一的漂移。

伟易达集团/ VT-ER

独特的VTech磁允许调整源的磁场特性的变量,创造以下效果:可变的不平衡程度,以调整生长膜的电子释放和离子轰击的水平;平衡的变化,以减少额外的能量输入到生长膜和衬底,并产生低轰击条件;磁场强度的变化,以调节放电电压和电流。通过VT-ER外驱动磁体实现了一种新的平衡/不平衡程度的变化控制。

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