磁性选择

有效的磁控溅射依靠适当的磁场设计进行最佳过程操作。Gencoa为所有溅射应用提供各种磁性选择。

均衡

平衡(SW)源包含传统类型的2极磁阵列,其在目标表面上产生有效的磁捕集并最小化来自源的电子和等离子体损失,避免过量的等离子体轰击在基板上。

不平衡

不平衡(PP)磁阵列改变磁场的形状,以允许朝向基板的一些等离子体电子释放以提供用于涂覆工艺的离子辅助。

高产

高产率(HY)任选的磁阵列增加了标准2极磁性的通常20%-25%的目标利用率至35-50%。通过磁系统内的附加磁极来产生增强的目标使用,以在目标表面上变形和平整磁场结构。

高均匀性

基于特定的目标尺寸,基板尺寸和靶对基板分离,可以设计磁阵列以在基板上给出特定的均匀性。基于磁场形状模拟涂层均匀性。

RF.

RF溅射通常施加到绝缘或低导电靶标。在RF溅射中,等离子体的固有增强电离可以导致极低的目标电压,这可能导致低速率。足够的RF阴极设计将包括特定的磁场设计,这将影响溅射和工艺产量有效性,包括均匀性和涂层率。

高强度

高强度磁性在目标表面上输送500-1000g的磁场级,并且适用于铁磁靶溅射,低压溅射和低压溅射等应用。

环形

环磁性和目标设计克服了溅射铁磁靶材料的问题。该选项可以溅射Ni,Co,Fe等靶标通常为2-4倍的常规非常高强度磁控管的厚度,与标准靶相比具有超过30%的目标产量增加。在环路磁性中,目标本身变为磁场和磁性设计的活动部分。

金属化器

金属化器磁性可提供高目标利用,以溅射非磁性材料,同时延长生产时间以进行生产。

全面侵蚀

FFE磁性通过电动机驱动的动态等离子体扫描改善了目标侵蚀和均匀性,允许整个目标表面溅射,最大化靶的外边缘处的腐蚀。目标生活没有均匀性。

VTECH / VT-er

独特的VTECH磁测度允许调整源磁场属性的变量,从而产生以下效果:可变程度的不平衡,调整电子释放和离子轰击的水平轰击的生长薄膜;平衡的变化,减少对生长薄膜和基材的额外能量输入并产生低轰击条件;磁场强度的变化,以调节放电电压和电流。通过VT-ER外部致动磁力实现控制平衡/不平衡程度的新变化。

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