离子轰击

薄膜涂层的离子轰击取决于磁控管的分类(即平衡或不平衡的程度)。离子轰击的最佳水平可以通过使用K因子来确定(见模拟).K因子描述了磁控管在磁场中保留电子的能力。如果K系数很大,磁控管就处于平衡状态,因此电子无法轻易逃脱,因为它们被一系列远超出目标表面的磁场所限制,离子轰击也很低。反之,如果K系数很小:磁控管是不平衡的,离子轰击很高。

由于一些原因,离子轰击对于某些应用是非常有益的。它能使涂层致密,有助于等离子反应和化合物的形成,还能提高涂层的附着力。使用Gencoa VTech磁控管可以找到离子轰击的最佳水平。这使得磁场可以在高度平衡和高度不平衡之间变化。一旦达到所需的水平,固定磁控管就可以以最佳的平衡或不平衡度生产,以创造理想的薄膜结构。

VTech磁控管的三个位置显示平衡/不平衡水平。

具有高离子轰击不平衡效应的矩形磁控管

阳极效应

阳极相对于靶的位置对衬底的离子轰击有很大的影响。阳极可以与等离子体相互作用以增加或减少离子轰击。阳极的位置总是特定于每个设计,因为交互作用可能是有害的或有益的,取决于工艺要求。

通过阳极相互作用控制离子轰击

VTech磁控管的磁场变化

随着磁场的变化,阳极间的相互作用也发生变化。在上图中,随着磁控管变得更加不平衡,与磁场的相互作用减少,阳极边缘和最后限制等离子体的磁场线之间出现一个间隙。这意味着,例如,在不导电氧化物的稳定性。离子轰击的水平从左到右递增。

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