离子轰击

薄膜涂层的离子轰击取决于磁控管的分类(即平衡或不平衡的程度)。利用K因子可以确定离子轰击的最佳水平(见模拟)。K因子描述了磁控管在磁场中保留电子的能力。如果K因子很大,则磁控管是平衡的,因此电子不能轻易逃脱,因为它们受到一系列远远超出目标表面的磁场的限制,离子轰击很低。如果K因子很小,则相反:磁控管不平衡,离子轰击高。

离子轰击对于某些应用是非常有益的,原因有很多。它可以增强涂层的致密性,帮助等离子体反应性和化合物的形成,还可以提高涂层的附着力。利用Gencoa VTech磁控管可以找到离子轰击的最佳能级。这使得磁场在高度平衡和高度不平衡之间变化。一旦达到了要求的水平,固定磁控管就可以被制造出来用于生产目的,其平衡或不平衡的最佳程度可以创造出理想的薄膜结构。

三个位置的VTech磁控管显示水平的平衡/不平衡。

矩形磁控管显示高离子轰击不平衡效应

阳极效应

阳极相对于靶的位置对衬底的离子轰击有很大的影响。阳极可以与等离子体相互作用以增加或减少离子轰击。每种设计的阳极位置都是特定的,因为相互作用可能是有害的,也可能是有益的,这取决于工艺要求。

通过阳极相互作用控制离子轰击

VTech磁控管的磁场变化

随着磁场的变化,阳极的相互作用也会变化。在上图中,随着磁控管变得更加不平衡,与磁场的相互作用减弱,在阳极边缘和约束等离子体的最后一条磁力线之间出现了缝隙。这意味着,例如,在不导电氧化物的稳定性。离子轰击的水平从左向右增加。

即将来临的事件

  • 2021年6月9日IOP等离子体表面和薄膜会议2021年
  • 2021年6月14 - 18- HIPIMS 2021
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