圆形离子源

Gencoa的IMC75是在离子蚀刻一个无栅和自中和圆形离子源和标记的新的一代。

所述IMC75有着悠久的修的周期 - 无论是在反应性和惰性环境 - 和具有高达90mA的和可达3kV的操作范围。

没有污染,这使得适合半导体应用的产品。其他应用包括基板预清洁,离子辅助,蚀刻/纹理和PACVD沉积。

所述IMC75容易配合,与1" 轴装入和5" 外直径,并且是用于Gencoa的新3" 和4" 圆形全脸侵蚀磁控管的理想对。

主要特点

  • 倒转的磁控管离子束
  • 自中和离子束
  • 在大的压力范围(E-4〜E-3毫巴)操作压力
  • 倾斜头 - 离子角控制
  • 稳定的离子束电流和离子能量分布
  • 反馈控制
  • 气体的各种饲料可能
  • 没有污染
  • 适用于半导体行业

IMC75离子蚀刻应用

  • 纳米纹理
  • 涂层去除
  • 改进涂层粘附力
  • ITO和银沉积援助
  • PACVD - DLC沉积
  • 离子束沉积

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