Hip³

Hip³是一种新型的高速离子雷竞技app下载官方版刻蚀技术。该技术基于正电压Hipims提供表面处理和快速去除涂层或表面污染。

快速基板蚀刻

该装置包括两个磁控管,在第一个阴极上施加+600V和150安培的Hipims型正脉冲,在基板上施加直流偏压,该直流偏压脉冲用于隔离涂层。

第二个磁控管在低直流功率下工作。总的来说,该装置提供的速率比标准氩脉冲等离子体蚀刻高20倍。

在蚀刻阶段之后,磁控管可以恢复为涂层源。

支持演示文稿中记录了系统设置和一系列材料蚀刻数据的更多详细信息。

易于适应现有机器

hipV HiPIMS HiPlus正脉冲装置的引入允许现有机器适应Hip³涂层,需要两个磁控管溅射源,其中一个使用Hip³操作模式。直流或脉冲直流电源应用于第二磁控管。

基于Hip蚀刻工艺的商业选择

Hip³技术是一种雷竞技app下载官方版新颖的技术,需要Gencoa和Nano4Energy联合申请专利。

该技术可雷竞技app下载官方版在具有适当电源的现有设备上实施,并可商定应用该技术的许可证。

hipV HiPIMS HiPlus正脉冲装置可用于将蚀刻模式应用于任何系统。

如果还没有合适的电源,Gencoa的紧凑型双电极可以添加到现有系统中。

如需更多信息,请联系[受电子邮件保护]纳米4能量.

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产品手册

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