圆形VTECH

GENCOA的VTECH范围可用于2“至6”的目标直径,并允许通过简单的外部调整更改目标表面上的磁性特性,这可以在过程中或在沉积运行之间执行。

磁性特性的变化为涂层过程创造了不同水平的强度和离子辅助,并可以快速发展薄膜结构。唯一的VTECH磁控管允许源的磁场特性变量创建以下效果:

不平衡
不平衡的不平衡程度可调节电子释放和生长膜的离子轰击水平。

平衡
减少对生长膜和底物的额外能量输入,并产生低轰炸条件。

野外力量
为了改变磁场强度以调节放电电压和电流。这可以用来补偿作为溅射目标侵蚀的放电电压的变化。

磁场形状
为了调整磁场形状,因此血浆与阳极的相互作用是为了调节最小工作压力,醒目的压力和灭火压力。

VTECH来源通过操纵磁控管内部的永久磁铁来产生这些效果。这是通过调节位于真空法兰大气侧的手动恐怖分子以及通过可编程控制器或PC界面通过线性执行器在较大的磁控子上进行的。这允许在非常宽的范围内进行即时和简单的调整。

可以在沉积过程中进行涂层之前或动态进行调整,以优化膜性能和性能。一个典型的例子是在胶合膜沉积期间形成粘附层和低轰炸过程中会受到高轰炸。

从过程或涂料开发的角度来看的附加优势是快速确定特定膜类型的最佳血浆和沉积条件。这还允许在过程参数方面的操作包膜可以迅速确定所需的膜属性,并了解血浆条件对涂层性能的敏感性。

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  • 2022年9月11日至14日- 第13届国际热等局紧迫会议
  • 2022年9月12日至15日- 等离子体表面工程
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