圆形伟易达集团

Gencoa的VTech范围可用于2”到6”的目标直径,并允许通过简单的外部调整来改变目标表面的磁性特性,这可以在沉积过程中或在沉积过程之间进行。

磁性性质的变化为涂层过程创造了不同水平的强度和离子辅助,并允许薄膜结构的快速发展。独特的Vtech磁控管允许源的磁场特性变量产生以下效果:

不平衡
不同程度的不平衡调整电子释放和离子轰击的水平的生长膜。

平衡
减少对生长膜和衬底的额外能量输入,并产生低轰击条件。

磁场强度
通过改变磁场强度来调节放电电压和电流。这可以用来补偿放电电压的变化,因为溅射目标侵蚀。

磁场形状

调整磁场形状,从而调整等离子体与阳极的相互作用,以调整最小操作压力,打击压力和灭火压力。

Vtech源通过操纵磁控管头内的永磁体来产生这些效果。这是在小型磁控管源上通过调节位于真空法兰大气侧的手动游标完成的,而在较大的磁控管上通过可编程控制器或PC接口的线性执行器完成的。这允许在非常广泛的范围内进行即时和简单的调整。这可以在涂层运行之前进行,也可以在沉积过程中动态地进行,以优化薄膜性能和性能。一个典型的例子是在形成附着力层时有高轰击,而在体膜沉积时有低轰击。

从工艺或涂层开发的角度来看,另外的优点是可以快速确定特定类型薄膜的最佳等离子体和沉积条件。这也允许在获得所需薄膜性能的工艺参数方面的操作包络线可以迅速确定,并给出等离子体条件对涂层性能的敏感性的概念。

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