循环vTech.

Gencoa的VTECH范围可用于目标直径为2“至6”,并允许通过简单的外部调整更改目标表面上的磁性,这可以在过程中或沉积之间进行。

磁性变化对涂覆过程产生不同的强度和离子辅助水平,并允许快速发展薄膜结构。唯一的VTECH磁控管允许源的磁场属性的变量来创建以下效果:

不平衡
可变性不平衡,以调节电子释放和生长膜的离子轰击水平。

平衡
减少对生长膜和基材的额外能量,并产生低轰击条件。

场实力
改变磁场强度以调节放电电压和电流。这可以用于补偿作为溅射目标侵蚀的放电电压的变化。

磁场形状
为了调节磁场形状并因此使等离子体与阳极的相互作用以调节最小操作压力,打击压力和熄灭压力。

VTECH源通过操纵磁控管头内的永磁体产生这些效果。这是通过调整位于真空法兰的大气侧的手动游标,并通过可编程控制器或PC接口的线性执行器在较大的磁控管上进行小磁控源。这允许在非常广泛的范围内瞬间和简单的调整。

可以在涂层在沉积过程中运行或动态地进行调节以优化膜性能和性能。典型的例子是在散装膜沉积期间形成粘附层和低轰击期间具有高轰击。

从过程或涂层开发的额外优点是快速测定特定膜类型的最佳血浆和沉积条件。这也允许在工艺参数方面允许操作包络以获得所需的薄膜,可以快速确定,并介绍血浆条件对涂覆性能的敏感性。

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