CILICURIC FFE.

Gencoa全面侵蚀(FFE)磁性通过扫描目标表面上的等离子体将超均匀的薄膜与清洁的目标侵蚀相结合。

有两种版本的圆FFE可用,具有75mm-200mm(3“至8”)的独特设计,包括内部和外部安装的选项,并适用于研发和光学器件。

对于较大的基板,GencoA提供250mm(10英寸)和上述目标直径的圆FFE,在低目标 - 基板分离下提供优异的均匀性控制 - 通常为50-70mm。该低目标 - 基板分离确保高用于从靶向晶片金属化的基材的材料转移速率。

Gencoa的FFE磁控管范围克服了在进行高速反应性沉积时所经历的许多传统困难,例如结节生长速率,同时增加总目标表面溅射区域。

通过电动机驱动的动态等离子体扫描实现了良好的均匀性,以使整个目标表面溅射,并在目标的外边缘处的最大侵蚀。目标生活没有均匀性。

高目标使用

目标使用高(6mm靶标)高(> 50%),即使在目标表面上的反应溅射和没有重新沉降区域,弧形和较少数量的涂层缺陷,也具有清洁的目标。可以使用6“圆形FFE磁控管(FFE150)实现高达70%的目标使用。

均匀性

通过电动机驱动的动态等离子体扫描实现了高均匀性,以使整个目标表面溅射,并在目标外边缘处的最大侵蚀。目标生活没有均匀性。

均匀性也会与底物分离的目标变化。这也可用于将均匀性校正为目标侵蚀和晶片尺寸。12“圆形FFE磁控管(FFE300)可以将1-3%均匀的层沉积在200mm晶片上。

选项

Gencoa圆形FFE磁控管可提供3“至18”OD目标,可提供各种机械选项。

  • 内部或外部安装
  • 倾斜轴安装
  • 气体注入
  • RF Power选项
  • 阳极冷却
  • 电机和控制器的选择
  • 快门 - 手动或自动
  • 溅射烟囱
  • 壁挂式喂养
  • 隐藏的阳极

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