圆形的固定资产

Gencoa全面侵蚀(FFE)磁结合超均匀的薄膜和清洁的目标侵蚀通过扫描目标表面的等离子体。

有两种版本的圆形FFE可供选择，其独特的设计适用于75mm-200mm(3“到8”)的目标直径，包括内部和外部安装选项，非常适合研发和光学。

对于较大的基片，Gencoa提供250mm(10”)及以上的圆形FFE，在低目标到基片分离(通常为50-70mm)的均匀性控制。这种低靶到基板的分离确保了高速率的材料从靶板转移到基板，以实现快速的晶圆金属化。

Gencoa的FFE磁控管范围克服了在进行高速率反应沉积时遇到的许多传统困难，如结核生长速率，同时增加了目标表面溅射的总面积。

高目标使用

目标使用高(>50%在一个6mm的目标)，干净的目标，即使反应溅射，没有再沉积区域的目标表面，更少的弧和更少的涂层缺陷。使用6”圆形FFE磁控管(FFE150)可实现高达70%的目标使用。

均匀性

通过电机驱动的动态等离子体扫描实现了高均匀度的目标表面溅射，并在目标外边缘实现了最大的侵蚀。目标寿命不存在均匀漂移。

均匀性随靶-基底分离而变化。这也可用于校正靶材侵蚀时的均匀性和晶圆尺寸。12英寸圆形FFE磁控管(FFE300)可以在200mm晶圆上沉积均匀度为1-3%的层。

选项

Gencoa圆形FFE磁控管可提供3"至18"外径目标，并提供一系列机械选项。

• 内部或外部安装
• 倾斜轴载
• 注气
• 功率的选择
• 阳极冷却
• 电机和控制器的选择
• 快门(手动或自动)
• 溅射烟囱
• 墙上挂载直通的
• 隐藏的阳极

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