平衡与不平衡

磁控管通常分为“平衡的”和“不平衡的”。常规的磁控管通常是平衡式的。电子逃离磁阱的能力是由目标上方等离子体中零点的位置决定的。如果零点在目标上方,电子逸出的机会就很小,磁控管就平衡了。在这种情况下,在底物上有低的离子轰击(假设底物位于零点之上)。当零点靠近目标表面时,电子更容易逃逸,磁控管不平衡。不平衡设计可以在沉积的同时产生高离子轰击薄膜。

Window和Savvides是第一个正式认识和分类不平衡磁控管的人(见下图)。1型是一种平衡设计,其特点是开阔视野延伸到目标表面和目标表面之外。第2型是一种不平衡设计,其特点是封闭的场线被限制在目标表面之上。



资料来源:B Window和N. Savvides, J. Vac。科学。抛光工艺。A4 (2), 196 (1986)

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